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来源:IT之家 时间:2023-09-05 13:47   阅读量:17807

,日本东北大学的研究人员日前利用溅射技术制造出了碲化铌材料,据悉这种材料具有“卓越存储和热性能”,有望应用于相变存储器制造中,从而为业界提供更多原材料选择,降低相关成本,目前论文已经发布归档在 onlinelibrary 平台上。

IT之家经过查询得知,相变存储器是一种“应用相变材料作为储存介质”的存储器技术,相对于当下的闪存,相变存储器通过相变物质的固态、液态转变来保存数据(闪存的写入速度受限于电荷移动速度),因此其读写速度更快、存储密度更高、功耗更低、并且尺寸可以做到更小,但制造相变存储器介质的成本过高,目前相变存储器还停留在企业级阶段,尚未下放到家庭市场。

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研究人员使用溅射技术制造材料,据悉“溅射是一种广泛使用的技术,该技术主要是将材料薄膜沉积到基底上,从而实现对薄膜厚度和成分的精确控制”。研究人员在 272 ?C 以上的温度,退火形成碲化铌结晶,这种材料具有约 447 ?C 的超低熔点,因此物理上相对稳定,适合制造相变存储器。

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研究人员对该晶体进行了评估,据称与传统的相变存储器化合物相比,碲化铌结晶的热稳定性较高,而结晶转换为液态的速度也相当快(约为 30 纳秒),凸显了其作为相变存储器的原材料的潜力。

东北大学材料科学高等研究所助理教授 Shuang 声称:“我们为开发高性能相变存储器开辟了新的可能性,NbTe4 具有低熔点、高结晶温度和优异的转换性能,是解决目前相变存储器所面临成本挑战的‘理想材料之一’。”

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责任编辑:白鸽
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